Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5 A, DSO, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列, BSO604NS2XUMA1
- RS 库存编号:
- 222-4625
- 制造商零件编号:
- BSO604NS2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | RMB12.338 | RMB123.38 |
| 630 - 1240 | RMB12.215 | RMB122.15 |
| 1250 + | RMB11.603 | RMB116.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4625
- 制造商零件编号:
- BSO604NS2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | DSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 35mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.47mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 DSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 35mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 4.9mm | ||
高度 1.47mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
逻辑电平
增强模式绿色产品（符合 rohs 标准）
符合 AEC 标准