Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 12.5 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, CoolGaN系列
- RS 库存编号:
- 222-4638P
- 制造商零件编号:
- IGT60R190D1SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4638P
- 制造商零件编号:
- IGT60R190D1SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 系列 | CoolGaN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 HSOF | ||
系列 CoolGaN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
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