Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 37.9 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™系列
- RS 库存编号:
- 222-4640P
- 制造商零件编号:
- IPA60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 222-4640P
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- IPA60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 37.9 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-220 FP | |
| 系列 | CoolMOS™ | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.099 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 37.9 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-220 FP | ||
系列 CoolMOS™ | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.099 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。cool mos ™ P6 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和一流的创新。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 极低的损耗
非常高的换向坚固性
无铅镀层无卤模制化合物
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无铅镀层无卤模制化合物