Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 60 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS Stock No.:
- 222-4667
- Mfr. Part No.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB4.801 | RMB12,002.50 |
| 5000 - 7500 | RMB4.705 | RMB11,762.50 |
| 10000 + | RMB4.564 | RMB11,410.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4667
- Mfr. Part No.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet