Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4669P
- 制造商零件编号:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS系列MOSFET,100V最大漏源电压,60A最大连续漏电流 - IPD60N10S4L12ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关,专为严苛的电子功率级和汽车环境而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要稳健开关性能和热处理的表面贴装组件。
特性和优点：
• 100V 漏电额定值,支持高压切换能力
• 60 A 连续漏电流,支持大电流负载
• 12 mΩ Rds(on),可减少电源路径中的传导损耗
• 94W 功耗,增强了负载下的热耐久性
• 38 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 16 V 最大栅极驱动,可灵活选择栅极电压
• 60 A 连续漏电流,支持大电流负载
• 12 mΩ Rds(on),可减少电源路径中的传导损耗
• 94W 功耗,增强了负载下的热耐久性
• 38 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 16 V 最大栅极驱动,可灵活选择栅极电压
应用
• 适用于需要符合AEC‐Q101标准的汽车电源转换器
• 适用于运输和工业系统中的直流-直流转换器
• 用于电动汽车子系统中的电机驱动半桥级
• 可用于电源的同步整流
• 用于热敏印刷电路板上的紧凑型表面贴装组件
• 适用于运输和工业系统中的直流-直流转换器
• 用于电动汽车子系统中的电机驱动半桥级
• 可用于电源的同步整流
• 用于热敏印刷电路板上的紧凑型表面贴装组件
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
其工作温度范围为-55°C至175°C,适用于高温环境。
热管理时有哪些包装和安装注意事项?
它采用 TO‐252 表面贴装封装,便于板载散热和标准焊接回流连接。
为避免设备压力,应遵守哪些栅极电压限制?
最大门到源电压为 16 V,门驱动电路不应超过此值以防止门损坏。
它采用哪种通道传导模式和类型?
它采用增强模式 N 通道配置,适用于合适的栅极驱动器时的低侧和高侧切换。