Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4670
- 制造商零件编号:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4670
- 制造商零件编号:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 51W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 51W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet