Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 12 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™系列
- RS 库存编号:
- 222-4672
- 制造商零件编号:
- IPD60R280P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4672
- 制造商零件编号:
- IPD60R280P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolMOS™ | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.28. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolMOS™ | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.28. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
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