Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
222-4677P
制造商零件编号:
IPD90N06S404ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.8mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

99nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

150W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

6.5mm

标准/认证

No

宽度

6.22 mm

高度

2.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。

绿色产品(符合 RoHS 标准)

符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准

用于汽车应用的功率 mosfet