Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 13 A, ThinkPAK 8 x 8, 贴片安装, 5引脚, CoolMOS™系列
- RS 库存编号:
- 222-4682
- 制造商零件编号:
- IPL60R185C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥31,434.00
(不含税)
¥35,520.00
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB10.478 | RMB31,434.00 |
| 15000 + | RMB10.268 | RMB30,804.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4682
- 制造商零件编号:
- IPL60R185C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | CoolMOS™ | |
| 封装类型 | ThinkPAK 8 x 8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.185. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 CoolMOS™ | ||
封装类型 ThinkPAK 8 x 8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 0.185. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
绿色产品（符合 RoHS 标准）
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet
符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 标准
用于汽车应用的功率 mosfet