Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 9.4 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4686
- 制造商零件编号:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥5,184.00
(不含税)
¥5,859.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB1.728 | RMB5,184.00 |
| 6000 - 9000 | RMB1.693 | RMB5,079.00 |
| 12000 + | RMB1.642 | RMB4,926.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4686
- 制造商零件编号:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 6.3W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.4A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 6.3W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.7 mm | ||
长度 6.7mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。最新的 cool mos ™ P7 是一款经过优化的平台，专为消费市场中的成本敏感型应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等
产品验证符合dec 标准
低切换损耗（ eoss ）集成 esd 保护二极管
极佳的热行为