Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4691P
- 制造商零件编号:
- IPP020N08N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 14 件 (按管提供)*
¥282.52
(不含税)
¥319.20
(含税)
有库存
- 252 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 14 - 24 | RMB20.18 |
| 26 + | RMB19.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4691P
- 制造商零件编号:
- IPP020N08N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.95 mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 CoolMOS | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.36mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.95 mm | ||
高度 4.57mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon mosfet 又闻名于 mosfet 晶体管，代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。mosfet 的作用是控制从源极到漏极端子的电流
无铅引线电镀; 符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23