Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
222-4698P
制造商零件编号:
IPP60R070CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

31A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

67nC

最大功耗 Pd

156W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

高度

4.57mm

宽度

15.95 mm

长度

10.36mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon mosfet 又闻名于 mosfet 晶体管,代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。

无铅引线电镀; 符合 RoHS

经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻

无卤、符合 IEC61249 - 2-23