制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=700 V, 4 A, TO-251, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

RS 库存编号:: 222-4709P
制造商零件编号:: IPSA70R1K4P7SAKMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=700 V, 4 A, TO-251, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

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RS 库存编号:: 222-4709P
制造商零件编号:: IPSA70R1K4P7SAKMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	700V
	系列	CoolMOS
	包装类型	TO-251
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.4mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.7nC
	最低工作温度	-40°C
	正向电压 Vf	0.9V
	最大功耗 Pd	22.7W
	最高工作温度	150°C
	高度	6.1mm
	标准/认证	No
	长度	6.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 700V
	系列 CoolMOS
	包装类型 TO-251
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC
	最低工作温度 -40°C
	正向电压 Vf 0.9V
	最大功耗 Pd 22.7W
	最高工作温度 150°C
	高度 6.1mm
	标准/认证 No
	长度 6.6mm
	汽车标准否

Datasheet - IPSA70R1K4P7SAKMA1

Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。最新的 cool mos ™ P7 是一款经过优化的平台，专为消费市场中的成本敏感型应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等

产品验证符合dec 标准

低切换损耗（ eoss ）

集成 esd 保护二极管

极佳的热行为

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 4 A, TO-251, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

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