Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=10 A, 3针, TO-251, CoolMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
222-4711
制造商零件编号:
IPSA70R450P7SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-251

系列

CoolMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.1nC

最大功耗 Pd

50W

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

长度

6.6mm

高度

6.1mm

宽度

2.38mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon mos ™设计是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，它是根据超级连接（ sj ）原理设计的，由 Infineon 技术公司率先开发的。最新的 cool mos ™ P7 是一款经过优化的平台，专为消费市场中的成本敏感型应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等

产品验证符合dec 标准

低切换损耗（ eoss ）

集成 esd 保护二极管

极佳的热行为

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