Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 77.5 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 222-4720
- 制造商零件编号:
- IPW60R041P6FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 30 件）*
¥1,358.73
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB45.291 | RMB1,358.73 |
| 60 - 90 | RMB44.385 | RMB1,331.55 |
| 120 + | RMB43.054 | RMB1,291.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4720
- 制造商零件编号:
- IPW60R041P6FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 77.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 481W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 77.5A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 481W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.1 mm | ||
高度 5.21mm | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 设计是一项革命性的高电压功率功率功率功率半导体技术、符合超级连接（ sj ）原理、由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
无铅引线电镀; 符合 RoHS
经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻
无卤、符合 IEC61249 - 2-23