Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 63.3 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列

可享批量折扣

小计 8 件 (按管提供)*

¥380.40

(不含税)

¥429.84

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 95 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
8 - 14RMB47.55
15 +RMB46.60

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
222-4725P
制造商零件编号:
IPW65R048CFDAFKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

63.3A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-247

系列

CoolMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

48mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

270nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

21.1mm

标准/认证

No

宽度

5.21 mm

长度

16.13mm

汽车标准

Infineon 设计是一项革命性的高电压功率功率功率功率半导体技术、符合超级连接( sj )原理、由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。

无铅引线电镀; 符合 RoHS

经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻

无卤、符合 IEC61249 - 2-23