Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 109 A, TO-247, 表面安装, 4引脚, CoolMOS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
222-4727P
制造商零件编号:
IPZ60R017C7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

109A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-247

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

240nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

446W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

21.1mm

宽度

5.21 mm

标准/认证

No

长度

16.13mm

汽车标准

Infineon 设计是一 C7 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术,符合超级连接( sj )原理,由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds (接通) * a (低于 1Ohm * 毫米)的第一项技术。

无铅引线电镀; 符合 RoHS

经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻

无卤、符合 IEC61249 - 2-23