Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=76 A, 4针, TO-247, CoolMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
222-4731
制造商零件编号:
IPZA60R037P7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

76A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

CoolMOS

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

37mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

255W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

121nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

5.1mm

高度

21.1mm

长度

15.9mm

汽车标准

否

Infineon 设计是一 7th 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，符合超接合（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先开发。

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