Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF3205ZSTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 222-4735
- 制造商零件编号:
- IRF3205ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥80.42
(不含税)
¥90.87
(含税)
有库存
- 另外 1,060 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | RMB8.042 | RMB80.42 |
| 200 - 390 | RMB7.96 | RMB79.60 |
| 400 + | RMB7.562 | RMB75.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4735
- 制造商零件编号:
- IRF3205ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 76nC | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ® 功率 mosfet 也闻名于 mosfet 晶体管，代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
先进 Advanced process technology
超低接通电阻快速切换
无铅，符合 RoHS 标准