Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 81 A, DirectFET, 表面安装, 2引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 222-4739P
- 制造商零件编号:
- IRF6636TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 222-4739P
- 制造商零件编号:
- IRF6636TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 81A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 宽度 | 3.95 mm | |
| 长度 | 4.85mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.68mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 81A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
宽度 3.95 mm | ||
长度 4.85mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.68mm | ||
汽车标准 否 | ||
hex场 ® 功率 mosfet 硅技术的英飞凌设计采用先进的 direct 东帝汶技术封装，在一个封装尺寸仅为 so-8 和 0.7 mm 的封装中实现最低的通态电阻 Advanced Infineon 封装尺寸。当在制造方法和工艺方面遵循应用说明 a-1035 时、 direct场 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。
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