Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 30 A, PQFN 5 x 6, 贴片安装, 4引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 222-4746
- 制造商零件编号:
- IRFH8311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 222-4746
- 制造商零件编号:
- IRFH8311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | PQFN 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0021. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 PQFN 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 0.0021. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Infineon ® 功率 mosfet 也闻名于 mosfet 晶体管，代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
低 rdson （<1.15 mΩ ）
低印刷电路板热阻（<0.8°w/w ）
经过 100% rg 测试
薄型（<0.9 mm ）
低印刷电路板热阻（<0.8°w/w ）
经过 100% rg 测试
薄型（<0.9 mm ）