Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 30 A, PQFN, 表面安装, 4引脚, IRFH8311TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 222-4747
- 制造商零件编号:
- IRFH8311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 990 | RMB5.772 | RMB86.58 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4747
- 制造商零件编号:
- IRFH8311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.17mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.17mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ® 功率 mosfet 也闻名于 mosfet 晶体管，代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
低 rdson （<1.15 mΩ ）
低印刷电路板热阻（<0.8°w/w ）
经过 100% rg 测试
薄型（<0.9 mm ）