Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 557 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IRL40SC228, HEXFET系列

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RS 库存编号:
222-4755
制造商零件编号:
IRL40SC228
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

557A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

0.65mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

307nC

最大功耗 Pd

416W

最高工作温度

175°C

宽度

4.83 mm

标准/认证

No

长度

10.54mm

高度

4.83mm

汽车标准

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,557A 最大连续漏极电流,40V 最大漏极源极电压 - IRL40SC228


这款大功率 MOSFET 专为需要强劲性能和高效率的各种应用而设计。它采用紧凑型 D2PAK-7 表面贴装封装,可确保在空间有限的环境中方便安装。该器件的连续漏极电流能力为 557A,最大漏极-源极电压为 40V,尺寸为长 10.54mm、宽 9.65mm 和高 4.83mm。

特点和优势


• 针对逻辑电平驱动进行了优化,增强了兼容性

• 0.50mΩ 的低 RDS(on),可减少功率损耗

• 高达 557A 的大电流容量可满足苛刻的应用要求

• 在电机驱动器和电源中的广泛应用

应用


• 适用于有刷和无刷直流电机驱动电路

• 电池供电电子系统的理想选择

• 在半桥和全桥电路拓扑中使用

• 作为电源中的同步整流器非常有效

• 用于直流-直流和交流-直流转换器

在大电流应用中使用该设备的主要优势是什么?


该器件的导通电阻低,大大提高了效率,可在不产生大量热量的情况下提供更大的电流。这有助于在电流容量至关重要的苛刻条件下提高可靠性和性能。

这种 MOSFET 在高温条件下的性能如何?


它能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作,即使在极端工作条件下也能确保稳定性和功能性。

该 MOSFET 在运行过程中有哪些特性可增强其稳健性?


增强的栅极和雪崩坚固性使其免受电压尖峰的影响,而低动态 dV/dt 能力则有助于在快速变化的条件下保持稳定的性能。