Infineon , 1 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 250 A, ag- 62mm, 底盘安装, FF6MR系列
- RS 库存编号:
- 222-4795
- 制造商零件编号:
- FF6MR12KM1BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4795
- 制造商零件编号:
- FF6MR12KM1BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 250A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | FF6MR | |
| 包装类型 | ag- 62mm | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.81mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.85V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 250A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 FF6MR | ||
包装类型 ag- 62mm | ||
安装类型 底盘 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.81mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.85V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 62 mΩ 1200 v 、 6 μ m 半桥模块，带有 cool sic ™ mosfet 。
高电流密度
低切换损耗
卓越的栅极氧化物可靠性
高稳定性、防潮
坚固的集成主体二极管、从而实现最佳热条件