Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=5.2 A, 7针, TO-263, IMBF1系列
- RS 库存编号:
- 222-4849P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IMBF1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 5.2A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IMBF1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IMBF1 系列 MOSFET,1700V 漏源电压,68W 功耗 - IMBF170R1K0M1XTMA1
这款 MOSFET 是一款高压半导体设备,设计用于控制和切换表面安装组件中的电源。它作为N通道增强模式晶体管运行,可在漏极和源极之间提供受控传导,适用于宽温度范围内的电源管理应用。
特性和优点：
• 1700V 额定值可在高压电路中运行
• 5.2A 连续电流，支持中等负载电流
• 68W 功耗，支持持续的热处理
• 1Ω 漏源电阻可限制传导损耗
• 23V 栅极容差允许大量栅极驱动电压
• 表面贴装 TO-263 封装可简化电路板组装
• 5.2A 连续电流，支持中等负载电流
• 68W 功耗，支持持续的热处理
• 1Ω 漏源电阻可限制传导损耗
• 23V 栅极容差允许大量栅极驱动电压
• 表面贴装 TO-263 封装可简化电路板组装
应用
• 适用于工业电源中的高压开关
• 适用于需要持久耗散的功率转换阶段
• 与逆变器前端配合使用,可处理高电压
• 可用于在宽温度范围内进行强化控制
• 适用于带表面贴装组件的紧凑型PCB电源模块
• 适用于需要持久耗散的功率转换阶段
• 与逆变器前端配合使用,可处理高电压
• 可用于在宽温度范围内进行强化控制
• 适用于带表面贴装组件的紧凑型PCB电源模块
它在运行过程中可耐受哪些极端温度？
其工作温度范围为-55°C至+175°C。
该封装提供多少引脚用于布局规划?
该设备采用 7 针封装,用于 PCB 封装参考。
组装需要采用哪种安装方式？
它专为 TO-263 封装的表面安装而设计。
它在切换时使用哪种通道传导类型?
它在增强模式下采用N型通道,以实现受控开关。
它是否设计符合汽车标准?
它不符合汽车标准。