Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1700 V, Id=7.4 A, 7针, TO-263, IMBF1系列
- RS 库存编号:
- 222-4851P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R650M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IMBF170R650M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IMBF1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 650mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 88W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.4A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IMBF1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 650mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 88W | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IMBF1 系列 MOSFET,1700V 漏源电压,7.4A 连续漏电流 - IMBF170R650M1XTMA1
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为严苛的热环境中的电源开关而设计。它采用 TO-263 表面贴装封装,设计用于处理高电压和中等连续电流,同时在宽温度范围内运行。
特性和优点：
• 1700V 漏源额定值，适用于高压开关应用
• 650mΩ Rds可在低至中等电流下最大限度减少传导损耗
• 88W 功耗支持显著的热处理能力
• 7.4A 连续漏极电流，可实现持久供电
• 工作温度为 -55°C 至 175°C,适用于恶劣的热环境
• 23V 栅极容差可实现稳固的栅极驱动空间
• 650mΩ Rds可在低至中等电流下最大限度减少传导损耗
• 88W 功耗支持显著的热处理能力
• 7.4A 连续漏极电流，可实现持久供电
• 工作温度为 -55°C 至 175°C,适用于恶劣的热环境
• 23V 栅极容差可实现稳固的栅极驱动空间
应用
• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于高温环境下的开关模式电源
• 可用于配电中的线路侧开关
• 用于表面贴装板上的散热装置
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于高温环境下的开关模式电源
• 可用于配电中的线路侧开关
• 用于表面贴装板上的散热装置
该组件需要哪种安装方式?
它采用 TO-263 封装,适用于表面安装到 PCB 上,采用合适的热接地模式。
设计人员应预期哪种通道类型和模式?
该设备采用 N 通道配置,并以增强模式运行,适用于传统栅极驱动开关。
环境温度对其适用性有何影响?
其指定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在极冷和高热应力环境中使用,而不会超过指定限值。
最大允许的栅极到源电压是多少?
最大栅极-源电压为 23V,可定义安全运行允许的栅极驱动振幅。
它是否符合汽车标准?
它未指定符合汽车级标准,也不应假定符合汽车认证要求。