Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 7.4 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBF1系列
- RS 库存编号:
- 222-4851P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R650M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 222-4851P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R650M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IMBF1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 650mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.4A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IMBF1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 650mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon coolsic ™ 1700 v 、 650 mΩ sic mosfet 采用 6-263-7 高爬电距离封装，经优化可用于连接到直流链路电压 600 v 到 1000 v 的辅助电源，适用于多种电源应用。
针对回弹拓扑进行了优化
极低切换损耗
12 v / 0 v 栅 - 源电压与回飞控制器兼容
完全可控的 dv/dt 、用于 emi 优化
smd 封装、具有增强的爬电距离和间隙距离、 > 7 mm