Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=31 A, 3针, TO-220, IPA60R系列
- RS 库存编号:
- 222-4875P
- 制造商零件编号:
- IPA60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 15 件 (按管提供)*
RMB502.77
(不含税)
RMB568.13
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年2月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 15 - 20 | RMB33.518 |
| 25 + | RMB31.844 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4875P
- 制造商零件编号:
- IPA60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IPA60R | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 29W | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IPA60R | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 29W | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPA60R系列MOSFET,1200V最大漏源电压,31A最大连续漏电流 - IPA60R099P7XKSA1
这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为电力电子领域的 N 通道增强模式应用而设计。它可在宽温度范围内工作,并采用TO-220封装,适用于表面安装,为需要处理高漏源电压和中等连续电流的应用提供实用的解决方案。
特性和优点：
• 1200V漏源功能支持高压切换
• 31A 连续漏电流支持大负载电流
• 99 mΩ RDS(on),可最大限度减少运行过程中的导电损耗
• 29W 功耗,可实现持久热负载
• 30 V 栅极-源极限可实现稳固的栅极驱动空间
• -55°C 至 +150°C 的工作温度范围确保宽泛的耐温性
• 31A 连续漏电流支持大负载电流
• 99 mΩ RDS(on),可最大限度减少运行过程中的导电损耗
• 29W 功耗,可实现持久热负载
• 30 V 栅极-源极限可实现稳固的栅极驱动空间
• -55°C 至 +150°C 的工作温度范围确保宽泛的耐温性
应用
• 适用于工业高压开关电路
• 适用于处理高电压的电源转换器
• 用于需要 N 通道开关的电机驱动级
• 可用于逆变器输出级设计
• 适用于高压晶体管的实验室评估
• 适用于处理高电压的电源转换器
• 用于需要 N 通道开关的电机驱动级
• 可用于逆变器输出级设计
• 适用于高压晶体管的实验室评估
在散热器上安装时,应考虑哪种封装?
它采用 TO-220 封装,适合安装到散热器和表面连接。
为确保可靠运行,我必须遵守哪些栅极电压限制?
最大允许的门到源电压为 30 V,因此驱动电压应保持在此值范围内。
热应力对连续电流能力有何影响?
最大连续漏电流额定值为 31 A,必须通过适当的冷却管理,以保持在 29 W 的功耗限制范围内。
它在运行过程中能够耐受的环境温度范围是多少？
该设备可在 -55°C 至 +150°C 温度范围内运行,适用于各种环境和高温条件。