Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 31 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, IPA60R系列

Bulk discount available

Subtotal 15 units (supplied in a tube)*

¥423.93

(exc. VAT)

¥479.04

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
暂时缺货
  • 2026年5月28日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units
Per unit
15 - 20RMB28.262
25 +RMB26.85

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
222-4875P
Mfr. Part No.:
IPA60R099P7XKSA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

31A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

IPA60R

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

99mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结 mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 ronxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg) 确保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 坚固性( hbm 2 类)

集成栅极电阻器电阻器

坚固的体二极管

广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装

提供标准级和工业级部件