Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 38 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPA60R系列
- RS 库存编号:
- 222-4888
- 制造商零件编号:
- IPB60R055CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4888
- 制造商零件编号:
- IPB60R055CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 38A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPA60R | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 38A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPA60R | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封装，特别适用于高功率开关电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和 ev 充电站，在那里可以显著提高效率。作为 CFD2 sj mosfet 系列的后续产品、它与竞争对手相比、具有更低的栅极电荷、更好的关闭行为和高达 69% 的反向恢复电荷。
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