Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 22 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™ C7系列
- RS 库存编号:
- 222-4893P
- 制造商零件编号:
- IPB60R099C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPB60R099C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 22 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 系列 | CoolMOS™ C7 | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 99 米Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 22 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
系列 CoolMOS™ C7 | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 99 米Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 600V coolmos ™ C7 超结（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。
减小开关损耗参数，如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管