Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB65R系列
- RS 库存编号:
- 222-4895P
- 制造商零件编号:
- IPB60R180P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 222-4895P
- 制造商零件编号:
- IPB60R180P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPB65R | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPB65R | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器 r g
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件