Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 5 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50R系列
- RS 库存编号:
- 222-4899
- 制造商零件编号:
- IPD50R800CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4899
- 制造商零件编号:
- IPD50R800CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | IPD50R | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.83V | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 IPD50R | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.83V | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 500V coolmos ™ ce 是一款价格经济的优化平台，它能够通过仍然符合最高效率标准，针对消费和照明市场中的成本敏感型应用。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性、并提供市场上提供的最佳低成本性能比。
减少输出电容（ e oss ）中存储的能量
坚固的主体二极管
减少反向恢复充电（ q rr ）
降低栅极电荷（ q g ）