Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50R系列
- RS 库存编号:
- 222-4901
- 制造商零件编号:
- IPD60R180C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4901
- 制造商零件编号:
- IPD60R180C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPD50R | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPD50R | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V coolmos ™ C7 超结（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。
可提高切换频率、而不会降低效率
测量显示轻负载和满负载效率的关键参数
将切换频率加倍将使磁性元件的尺寸减半
适用于相同 r ds （ on ）的较小封装
可用于更多位置、用于硬切换和软切换拓扑