Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-252, 表面安装, 10引脚, IPDD60R190G7XTMA1, IPD50R系列
- RS 库存编号:
- 222-4904
- 制造商零件编号:
- IPDD60R190G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4904
- 制造商零件编号:
- IPDD60R190G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPD50R | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 21.11mm | |
| 宽度 | 2.35 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPD50R | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 21.11mm | ||
宽度 2.35 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 技术引入了双 dak (ddpack) ，这是首款顶部冷却表面安装设备 (smd ）封装，适用于 pc 电源、太阳能、服务器和电信等高功率开关电源应用。现有的高电压技术 600V coolmos ™ G7 超接点（ sj ） mosfet 的优势与创新的顶部冷却概念相结合，为高电流硬切换拓扑（如 pfc ）提供系统解决方案，并为 llc 拓扑提供高端效率解决方案。
实现最高能效
板和半导体的热去耦可克服热印刷电路板限制
寄生源电感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解决方案
高品质标准