制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 10针, TO-252, IPD50R系列

RS 库存编号:: 222-4904
制造商零件编号:: IPDD60R190G7XTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 10针, TO-252, IPD50R系列

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RS 库存编号:: 222-4904
制造商零件编号:: IPDD60R190G7XTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	13A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IPD50R
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	10
	最大漏源电阻 Rd	190mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	18nC
	正向电压 Vf	800mV
	最大功耗 Pd	76W
	最高工作温度	150°C
	长度	6.6mm
	高度	21.11mm
	宽度	2.35mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 13A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IPD50R
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 10
	最大漏源电阻 Rd 190mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC
	正向电压 Vf 800mV
	最大功耗 Pd 76W
	最高工作温度 150°C
	长度 6.6mm
	高度 21.11mm
	宽度 2.35mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPDD60R190G7XTMA1

Infineon 技术引入了双 dak (ddpack) ，这是首款顶部冷却表面安装设备 (smd ）封装，适用于 pc 电源、太阳能、服务器和电信等高功率开关电源应用。现有的高电压技术 600V coolmos ™ G7 超接点（ sj ） mosfet 的优势与创新的顶部冷却概念相结合，为高电流硬切换拓扑（如 pfc ）提供系统解决方案，并为 llc 拓扑提供高端效率解决方案。

实现最高能效

板和半导体的热去耦可克服热印刷电路板限制

寄生源电感降低、提高效率和易用性

支持更高的功率密度解决方案

高品质标准

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 10针, TO-252, IPD50R系列

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