Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 12 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, IPL65R195C7AUMA1, IPL60R系列
- RS 库存编号:
- 222-4920
- 制造商零件编号:
- IPL65R195C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4920
- 制造商零件编号:
- IPL65R195C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | ThinPAK | |
| 系列 | IPL60R | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 195mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 ThinPAK | ||
系列 IPL60R | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 195mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.1mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 8.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos ™ C7 超结 mosfet 系列是一款革命性的技术进步，可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装，并得益于其低切换损耗，在整个负载范围内效率得到了提高
改进的安全裕度、适用于开关电源和太阳能逆变器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度
卓越的 coolmos ™