Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP60R系列
- RS 库存编号:
- 222-4923
- 制造商零件编号:
- IPP60R022S7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4923
- 制造商零件编号:
- IPP60R022S7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IPP60R | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 390W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 23A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IPP60R | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 390W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 9.45mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.36mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 设计经过优化，可降低传导损耗， 600V coolmos ™ S7 superjunction mosfet （ IPP60R022S7 ）采用 to-220 技术，具有最佳 rds （接通） x 价格，适用于低切换频率应用，例如有源桥式整流器、逆变器级、浪涌继电器、 plcs 、 hv dc 线路， 电源固态继电器和固态断路器。600V coolmos ™ S7 sj mosfet 可实现更高的能效并降低 bom 支出。
有效减少传导
提高能效
更紧凑、更简单的设计
在固态设计中消除或减少散热片
降低总拥有成本（ tco ）或物料清单（ bom ）成本