Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP60R系列

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包装方式:
RS 库存编号:
222-4924P
制造商零件编号:
IPP60R022S7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPP60R

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

390W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

150nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

9.45mm

宽度

4.57 mm

长度

10.36mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 设计经过优化,可降低传导损耗, 600V coolmos ™ S7 superjunction mosfet ( IPP60R022S7 )采用 to-220 技术,具有最佳 rds (接通) x 价格,适用于低切换频率应用,例如有源桥式整流器、逆变器级、浪涌继电器、 plcs 、 hv dc 线路, 电源固态继电器和固态断路器。600V coolmos ™ S7 sj mosfet 可实现更高的能效并降低 bom 支出。

有效减少传导

提高能效

更紧凑、更简单的设计

在固态设计中消除或减少散热片

降低总拥有成本( tco )或物料清单( bom )成本