Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 8.5 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, IPS70R系列
- RS 库存编号:
- 222-4934P
- 制造商零件编号:
- IPS70R600P7SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- 222-4934P
- 制造商零件编号:
- IPS70R600P7SAKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | IPS70R | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 43.1W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.5A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 IPS70R | ||
包装类型 TO-251 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 43.1W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.5nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.4 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 6.22mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 旨在为当今特别是未来回扫拓扑的趋势提供服务，全新 700V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列通过提供与当今使用的超结技术相比的基本性能提升来满足低功率的 smp 市场，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。通过将客户的反馈与超过 20 年的超结 mosfet 经验相结合， 700V
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