Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 6 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, IPS70R900P7SAKMA1, IPS70R系列

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222-4936
制造商零件编号:
IPS70R900P7SAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

IPS70R

包装类型

TO-251

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

900mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.8nC

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

30.5W

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

150°C

高度

6.22mm

长度

6.73mm

宽度

2.4 mm

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 旨在为当今特别是未来回扫拓扑的趋势提供服务,全新 700V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列通过提供与当今使用的超结技术相比的基本性能提升来满足低功率的 smp 市场,例如手机充电器或笔记本电脑适配器。700V coolmos ™ P7 将客户的反馈与 20 多年的超结 mosfet 经验相结合,使其最适合以下目标应用:

允许高速切换

集成保护齐纳二极管

优化的 3V v ( gs ) th 、极窄容差为 ±0.5 v

精细分级产品组合