ROHM P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=5 A, 8针, TSMT

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB78.44

(不含税)

RMB88.64

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
10 - 740RMB7.844RMB78.44
750 - 1490RMB7.609RMB76.09
1500 +RMB7.38RMB73.80

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
223-6205
制造商零件编号:
QH8JB5TCR
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

5A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSMT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.41Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.3nC

最大功耗 Pd

1.5W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

高度

0.85mm

长度

3.3mm

标准/认证

No

宽度

2.8mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

ROHM 小信号 MOSFET 采用 TSMT8 封装类型。它主要用于切换。

低接通电阻

小型表面安装封装

无铅电镀，符合 RoHS 标准

无卤素

相关链接