ROHM N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=9 A, 3针, TO-220, R8009KNX系列

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RS 库存编号:
223-6214
制造商零件编号:
R8009KNXC7G
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-220

系列

R8009KNX

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

600mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最大功耗 Pd

59W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 采用 TO-220FM 封装类型。它主要用于切换。

低接通电阻

快速切换

易于并行使用

无铅电镀,符合 RoHS 标准

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