ROHM P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=7.5 A, 8针, SOP
- RS 库存编号:
- 223-6392
- 制造商零件编号:
- SH8JC5TB1
- 制造商:
- ROHM
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.32Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.32Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6mm | ||
高度 1.75mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 采用 DFN2020-8D 封装类型。它主要用于切换。
低接通电阻
小型表面安装封装
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素
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