ROHM , 2 P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 2.5 A, DFN, 表面安装, 7引脚, UT6JC5TCR

可享批量折扣

小计 750 件 (以卷装提供)*

¥3,201.75

(不含税)

¥3,618.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年5月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
750 - 1475RMB4.269
1500 +RMB4.142

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
223-6398P
制造商零件编号:
UT6JC5TCR
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

2.8Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

晶体管配置

最高工作温度

150°C

长度

2mm

标准/认证

No

宽度

2 mm

高度

0.65mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

ROHM 小信号 MOSFET 采用 DFN1010-3W 封装类型。它主要用于开关电路,高侧负载开关和继电器驱动器。

无引线超小型和裸露式漏极垫,用于出色的热传导 SMD 塑料封装

侧面可润侧翼,用于自动光学焊接检验

符合 AEC-Q101

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。