Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.1 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 223-8452
- 制造商零件编号:
- AUIRF7341QTR
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-8452
- 制造商零件编号:
- AUIRF7341QTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 500mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 3 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.1A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 500mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 3 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 采用双 SO-8 封装，利用最新处理技术实现每硅区域极低接通电阻。高效 SO-8 封装提供增强的热特性和双 MOSFET 模具能力，使其特别适用于各种电源应用。
Advanced 平面技术
动态 DV/dT 额定值
逻辑电平栅极驱动
175°C 工作温度
快速切换
无导线
符合 RoHS
符合汽车规格