制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=55 V, Id=5.1 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

RS 库存编号:: 223-8453
制造商零件编号:: AUIRF7341QTR
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=55 V, Id=5.1 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 223-8453
制造商零件编号:: AUIRF7341QTR
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	5.1A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	SO-8
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	500mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	29nC
	正向电压 Vf	1.2V
	晶体管配置	双
	最高工作温度	175°C
	长度	5mm
	高度	1.5mm
	标准/认证	No
	宽度	4mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 5.1A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 SO-8
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 500mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC
	正向电压 Vf 1.2V
	晶体管配置双
	最高工作温度 175°C
	长度 5mm
	高度 1.5mm
	标准/认证 No
	宽度 4mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - AUIRF7341QTR

Infineon HEXFET 功率 MOSFET 采用双 SO-8 封装，利用最新处理技术实现每硅区域极低接通电阻。高效 SO-8 封装提供增强的热特性和双 MOSFET 模具能力，使其特别适用于各种电源应用。

Advanced 平面技术

动态 DV/dT 额定值

逻辑电平栅极驱动

175°C 工作温度

快速切换

无导线

符合 RoHS

符合汽车规格

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