Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 345 A, DirectFET, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 223-8455P
- 制造商零件编号:
- AUIRF7749L2TR
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- AUIRF7749L2TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 345A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 183nC | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 60 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 345A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 183nC | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最大栅源电压 Vgs 60 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 设计用于注重效率和功率密度的应用。Advanced DirectFET 封装平台结合最新的硅技术，使此 MOSFET 可提供显著的系统级节省和性能改进，尤其是在电动机驱动，直流 - 直流和其他大负载应用中。
Advanced 工艺技术
超小尺寸，薄型
高功率密度
低寄生参数
双面冷却
175°C 工作温度
无导线
符合 RoHS
无卤素
符合汽车规格