Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 223-8512
- 制造商零件编号:
- IPB100N06S2L05ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-8512
- 制造商零件编号:
- IPB100N06S2L05ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 系列 N 通道 MOSFET 采用 D2-PAK 封装。它具有最高电流容量，最低切换和传导功率损耗的优点，可实现最高热效率和具有卓越质量和可靠性的坚固封装。
符合汽车 AEC Q101 规格
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试