Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 20 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 223-8519
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥17,450.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB3.49 | RMB17,450.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-8519
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.065 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS™ | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.065 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Infineon OptiMOS 系列双 N 沟道 MOSFET 的漏极至源电压为 55 V它具有较大源引线框架连接的优点，用于电线粘结， 200um 粘结线的电流高达 20A。
符合汽车 AEC Q101 规格
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试