Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=20 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
223-8523P
制造商零件编号:
IPG20N06S4L26AATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

OptiMOS

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

26mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

33W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

晶体管配置

双

最高工作温度

175°C

长度

5.15mm

宽度

5.9mm

标准/认证

RoHS

高度

1mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS系列MOSFET,60V最大漏源电压,20A最大连续漏电流 - IPG20N06S4L26AATMA1


这款 MOSFET 是双 N 通道表面贴装晶体管,专为严苛环境中的电源开关和控制而设计。它将低传导损耗与低门驱动要求相结合,支持对耐温性和紧凑封装要求较高的汽车和工业系统中的高电流应用。

特性和优点：


• 60V漏极额定值，支持中压开关应用
• 20A 连续漏极电流支持大负载电流
• 26mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 15nC 典型栅极电荷可最大限度减少栅极驱动能量
• 33W 最大功耗可实现显著的热量处理
• 16V 最大栅极-源保护可保持栅极完整性

应用


• 适用于需要AEC-Q101认证的汽车功率级
• 用于车辆系统中的直流-直流转换器
• 特别适用于紧凑型电路板上的电机驱动半桥电路
• 可用于工业控制领域的高电流负载开关
• 与热管理设计配合使用,可实现较高的工作温度

用于紧凑型 PCB 实施的封装类型是什么?


它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面安装。

它能承受高环境温度的程度如何?


该设备额定工作温度高达 175°C。

栅极电极具有哪些保护极限?


栅极移动由 16V 最大栅极-源电压限制。

每片芯片有多少晶体管元件?


双配置中,每个芯片有两个元件。

它符合哪些环境或材料标准?


该组件通过了 RoHS 认证,符合受限物质标准。

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