Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET 阵列, Vds=60 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列, IPG20N06S4L26AATMA1
- RS 库存编号:
- 223-8523P
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 223-8523P
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 26mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 26mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 | ||
长度 5.15mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 系列双 N 沟道 MOSFET 的漏极至源电压为 60 V它具有较大源引线框架连接的优点，用于电线粘结， 200um 粘结线的电流高达 20A。
符合汽车 AEC Q101 规格
• MSL1 高达 260°C Peak 回流
工作温度• 175°C
•绿色封装
•超低 RDS
•经过 100% 雪崩测试