Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 4针, SOT-223, BSS123I系列

RS 库存编号:: 225-0557P
制造商零件编号:: BSS123IXTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=100 V, Id=190 mA, 4针, SOT-223, BSS123I系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 800 件 (以卷装提供)*

RMB492.00

(不含税)

RMB556.00

3,200 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
800 - 1400	RMB0.615
1500 +	RMB0.60

* 参考价格

RS 库存编号:: 225-0557P
制造商零件编号:: BSS123IXTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	190mA
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-223
	系列	BSS123I
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	10Ω
	通道模式	耗尽
	最大功耗 Pd	0.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.63nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.7mm
	高度	1.8mm
	长度	6.7mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 190mA
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-223
	系列 BSS123I
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 10Ω
	通道模式耗尽
	最大功耗 Pd 0.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.63nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.7mm
	高度 1.8mm
	长度 6.7mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet-BSS123IXTSA1

Infineon BSS123I系列MOSFET,100V最大漏源电压,190mA最大连续漏电流 - BSS123IXTSA1

这款 MOSFET 是一款专为表面贴装应用设计的小信号 N 通道晶体管,可在宽温度范围内提供开关和放大功能。它适用于需要耗尽模式设备的电路,具有适度的电流处理能力和中等电压能力,适用于需要SOT-223封装和保持节能功率处理的紧凑型组件。

特性和优点：

• 100 V 漏源额定值提供高电压切换能力
• 10 Ω 最大 RDS(on) 提供受控的接通状态传导
• 190mA 连续漏电流支持低电流负载
• 0.5W 功耗限制了受限布局中的热应力
• 典型栅极电荷为 0.63 nC,可实现适度的开关能量需求
• ±20 V 栅极容差,可实现宽栅极驱动灵活性

应用

• 用于控制电路中的低电流高压开关
• 适用于紧凑型板上的表面贴装电源管理
• 适用于模拟信号衰减或降压功能
• 可用于混合电压系统中的电平转移
• 与需要耗尽模式特性的驱动器级配合使用

它的工作环境温度范围是多少?

其设计工作温度范围为-55°C至150°C。

设计人员在放置电路板时应考虑哪种封装?

该设备采用SOT-223表面贴装封装,带四个引脚,用于PCB占地面积规划。

其栅极电荷对开关性能有何影响?

典型栅极电荷为 0.63 nC,可减少所需的栅极驱动能量,并影响开关拓扑中的转换速度。

应用中最大连续电流的限制是什么?

指定的连续漏电流为190mA,为持续运行定义了热和传导限制。

它是否适合用作汽车级组件?

它不符合汽车标准分类,不应被认为符合汽车认证。