Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, BSS127I系列
- RS 库存编号:
- 225-0559P
- 制造商零件编号:
- BSS127IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- BSS127IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | BSS127I | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21mA | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 BSS127I | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.65nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 1.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSS127I系列MOSFET,600V最大漏源电压,21mA最大连续漏电流 - BSS127IXTSA1
这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 通道增强装置,专为广泛环境范围内的表面贴装应用中的一般开关而设计。它适用于需要高电压晶体管和低电流容量以及标准三针SOT-23封装以实现板级集成的电路。
特性和优点：
• 600V 漏电容差可实现高压切换能力
• 0.5W 功耗限制了紧凑型设计中的热负载
• 21mA 连续漏电流适用于低电流信号切换
• 0.65nC 栅极电荷支持低驱动速度实现更快的栅极转换
• 600Ω 漏源电阻提供可预测的关闭状态泄漏
• 20V 栅极额定值允许与常见逻辑级驱动器接口
• 0.5W 功耗限制了紧凑型设计中的热负载
• 21mA 连续漏电流适用于低电流信号切换
• 0.65nC 栅极电荷支持低驱动速度实现更快的栅极转换
• 600Ω 漏源电阻提供可预测的关闭状态泄漏
• 20V 栅极额定值允许与常见逻辑级驱动器接口
应用
• 适用于控制电路中的高压信号切换
• 特别适用于继电器和电磁阀的低电流电源转向
• 与低栅极电荷的逻辑驱动器配合使用,可减少损耗
• 可用于板载式液位转换和保护电路
• 适用于需要小封装的紧凑型表面贴装模块
• 特别适用于继电器和电磁阀的低电流电源转向
• 与低栅极电荷的逻辑驱动器配合使用,可减少损耗
• 可用于板载式液位转换和保护电路
• 适用于需要小封装的紧凑型表面贴装模块
在工业环境中,它能承受的温度范围是多少?
它可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内可靠运行。
该设备的二极管相关特性对设计有何影响?
正向传导阈值为 1.2V,便于考虑电路中的二极管传导问题。
设计人员应注意哪些安装和针脚数因素?
它采用SOT-23表面贴装外形,配有三个引脚,便于轻松放置PCB。
晶体管封装尺寸对布局密度有何影响?
封装尺寸为 6.7 x 3.7 x 1.8mm,可在保持热限制的同时实现紧凑放置。